江蘇金華東電機(jī)永磁同步電機(jī)反電勢E和轉(zhuǎn)子磁鏈ψ的數(shù)學(xué)關(guān)系，即：

E=ψ*ω (V)

江蘇金華東電機(jī)在永磁同步電機(jī)磁場定向控制中班眯，電壓方程如下：

上式中 ψ_f 即為轉(zhuǎn)子磁鏈ψ希停。

在永磁同步電機(jī)高轉(zhuǎn)速運(yùn)行時可忽略定子繞組和d、q軸電感壓降署隘。對表貼式轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)永磁同步電機(jī)來說宠能，在不弱磁時Id=0；對內(nèi)嵌式轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)永磁同步電機(jī)來說磁餐，在不弱磁時忽略Id在q軸的分量盼掘，則以上電壓方程可等效為下式：

江蘇金華東電機(jī)上式和永磁同步電機(jī)反電勢E的計(jì)算公式一致，即在不弱磁時當(dāng)永磁同步電機(jī)反電勢等于參考電壓時耸颁，電機(jī)轉(zhuǎn)速達(dá)到最大彰巫。根據(jù)SVPWM電壓空間矢量合成示意圖可知（如下圖），在線性調(diào)試區(qū)參考電壓最大值為正六邊形內(nèi)切圓舞绝，對應(yīng)的相電壓幅值為Udc/√3童丢。

則在永磁同步電機(jī)實(shí)際控制中，知道轉(zhuǎn)子磁鏈ψ和母線電壓值Udc即可估算出在不弱磁情況下的電機(jī)最高轉(zhuǎn)速吆踏，計(jì)算公式如下:

ω=Udc/√3/ψ

但在實(shí)際應(yīng)用中择车，一般通過反電勢系數(shù)Ke來計(jì)算此值。

我們知道了趨膚效應(yīng)是導(dǎo)線自感所導(dǎo)致的一種現(xiàn)象阀严，那兩條導(dǎo)線之間的互感會導(dǎo)致傳輸線什么樣的現(xiàn)象多析？

答案是：鄰近效應(yīng)。

?  信號路徑上電流與回流路徑上電流的方向是相反的砚凳，回路電感=自感-互感初祠。

?  在高頻電流中信號路徑與回流路徑中的電流分布靠的越近，它們所構(gòu)成的回路面積就越婿佟（互感越大）声离，從而傳輸線回路電感就越小。

電流分布總是趨于低阻抗的路徑流動瘫怜，如果是直流電流呢术徊？那么電感就毫無作用（Z = jωL = 0），江蘇金華東電機(jī)所以此時電阻占據(jù)主要作用鲸湃，所以電流就會按照最小電阻的路徑來流動（電流平均布滿整根導(dǎo)線赠涮，實(shí)現(xiàn)最低電阻）。

江蘇金華東電機(jī)在永磁同步電機(jī)FOC中反電勢系數(shù)Ke是一個很重要的參數(shù)，其為電機(jī)特性參數(shù)窿祥，可以反映電機(jī)本身的磁性特征株憾。當(dāng)一臺永磁同步電機(jī)設(shè)計(jì)完成后绒障，其磁性就已經(jīng)確定了付忆，即電機(jī)的反電勢系數(shù)Ke就固定了屠睡。

實(shí)際上闷煤，江蘇金華東電機(jī)表征永磁同步電機(jī)磁性特征有更直接的參數(shù)越匕，即轉(zhuǎn)子磁鏈ψ虑润，在一臺電機(jī)中迈招，此值也是固定值琴偿。既然Ke和ψ都是固定值旧匈，那兩者是不是存在一定關(guān)系预第？本文演示2個參數(shù)公式推導(dǎo)過程。

以上面展示的反電勢測試波形圖為例闯智，線電壓峰值為Up害媚，頻率為f，電機(jī)極對數(shù)為p犹耻，則：

E=ψ*ω (V)

上式中：

E：相反電勢（V）财军；

ψ：轉(zhuǎn)子磁鏈（Wb）；

ω：轉(zhuǎn)子電角速度（rad/s）春探。

仍以上圖為例欧移，線電壓（線反電勢）峰值為Up，頻率為f辑皿，則：

其中：

E=Up/√3 (V)

ω = 2pif (rad/s)

由以上計(jì)算公式可知时簸，永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)子磁鏈ψ和反電勢系數(shù)Ke均可以由線反電勢幅值Up和電機(jī)運(yùn)行頻率 f計(jì)算得到跋炕。因?yàn)殡姍C(jī)轉(zhuǎn)速越高其線反電勢幅值Up和頻率f越大，兩者之比為固定值律适，也從側(cè)面驗(yàn)證了轉(zhuǎn)子磁鏈ψ和反電勢系數(shù)Ke是固定值辐烂。

在探討SiC時，江蘇金華東電機(jī)我們不可避免地會將其與IGBT進(jìn)行比較擦耀。

IGBT是一種雙極型器件棉圈，適用于中高壓和中低頻的應(yīng)用涩堤，而SiC則是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料眷蜓，能夠?qū)崿F(xiàn)高耐壓和高速的單極型MOSFET。與IGBT相比胎围，SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻吁系、芯片面積、開關(guān)損耗白魂、開關(guān)速度和工作溫度等方面均表現(xiàn)出優(yōu)勢汽纤。盡管如此，IGBT在工藝成熟度福荸、成本蕴坪、封裝選擇和兼容性等方面仍具有競爭力。早在2018年特斯拉將碳化硅應(yīng)用到其Model 3車型中疤草，新能源車中一直使用的功率器件是IGBT础甜。彼時，IGBT是新能源車電控系統(tǒng)的核心組成部分孩板，被譽(yù)為新能源車的“心臟”怨拍。但隨著特斯拉用48顆碳化硅芯片取代原有的84顆IGBT后，碳化硅在新能源車中的應(yīng)用加速蛆删，隨著800V高壓的到來灰蒋，IGBT在新能源車中的核心地位開始被動搖。

隨著800V平臺的到來（以實(shí)現(xiàn)在功率相同的情況下捅悦，通過抬高電池電壓萍捌，減少流過的電流，減少發(fā)熱損耗目露，以提高汽車的續(xù)航里程逗耕。），高壓作為碳化硅的主要特點(diǎn)妻铲，在實(shí)施過程中也面臨著很多挑戰(zhàn)愿瘫。800V高壓在實(shí)施的過程中，需要注意以下潛在安全風(fēng)險：

首先吞杭，電壓提升至800V對于汽車“三電”系統(tǒng)的安全性也帶來了很多挑戰(zhàn)盏浇，空調(diào)壓縮機(jī)变丧、DCDC直流變換器、OBC車載充電機(jī)等各項(xiàng)應(yīng)用場景必須能滿足在800V高電壓平臺上的安全工作绢掰。

其次痒蓬，隨著電壓的提升，平臺的絕緣問題也需要加強(qiáng)滴劲，否則會發(fā)生漏電的情況攻晒。

最后，由于高電壓是通過很多電池串聯(lián)實(shí)現(xiàn)的班挖，在高壓及大電流工作環(huán)境下如何保證電池的安全鲁捏，如何合理計(jì)算電池整體的續(xù)航里程并保證電池的使用壽命也需要更多關(guān)注。

但是萧芙，碳化硅作為新技術(shù)给梅，從零到一的階段需要一段時間的磨合期。雖然双揪，特斯拉在2018年便在新能源汽車中采用了碳化硅拯羽，但實(shí)際上“這是一個非常大膽且冒險的操作”。此前链愉，多方預(yù)測顯示谐创，碳化硅技術(shù)將于2025年左右才能達(dá)到上車標(biāo)準(zhǔn)，而特斯拉卻將這一時間大大提前拦吓。

江蘇金華東電機(jī)盡管距離碳化硅上車已經(jīng)歷4年寸芦，但如今達(dá)到車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅沒有多少，且仍需要一定時間磨合才可大規(guī)模達(dá)到車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)支你。另外研神，成本的制約使碳化硅技術(shù)往往只能用在出貨量較小的高端車型中。雖然碳化硅本身價格相比較于硅IGBT相對便宜旷动，但是新材料纫益、新技術(shù)往往需要更多的宣傳力度，這部分額外成本也會增加碳化硅新能源汽車自身的成本赂裸。相比較于常規(guī)車型而言揍忍，高端車型有議價優(yōu)勢，因此高端車型中采用碳化硅的比例會更高贾虽。

其次逃糟，江蘇金華東電機(jī)碳化硅新能源汽車屬于新技術(shù)，在前期的發(fā)展過程中需要有磨合期蓬豁，在這過程中會出現(xiàn)一些問題绰咽。而高端車型體量較小，若出現(xiàn)問題進(jìn)行召回?fù)p失也比較小地粪。以上兩點(diǎn)原因也導(dǎo)致了現(xiàn)階段碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域難以大規(guī)模普及取募，短時間內(nèi)也難以完全替代IGBT琐谤。

事實(shí)上，江蘇金華東電機(jī)新能源到底是碳化硅還是IGBT玩敏，二者卻不是“你死我活”的競爭狀態(tài)斗忌。未來，二者在新能源汽車市場中的合作關(guān)系遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于競爭關(guān)系旺聚。